1.سهلة
مصدر تيار مستمر 24 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1,5 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 24 VR = 1,5 kΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
يُغذّى صمام زينر 9,1 V من 15 V عبر مقاومة 150 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
Vin = 15 VVZ = 9,1 VR = 150 Ω
IR = mA
3.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 18 V: R₁ = 22 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 8,2 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 1 kΩ ومقاومة الباعث RE = 1 kΩ. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
VCC = 18 VR1 = 22 kΩR2 = 8,2 kΩRC = 1 kΩRE = 1 kΩβ = 100
VCE = V
4.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 820 kΩ من المصدر VCC = 10 V. مقاومة المجمِّع RC = 3,3 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
VCC = 10 VRB = 820 kΩRC = 3,3 kΩβ = 80VBE = 0,7 V
VCE = V
5.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB = 22 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
VCC = 24 VRC = 100 Ωβ = 150Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VRB = 22 kΩ
IC = mA
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 330 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
VCC = 5 VRC = 330 Ωβ = 200Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
مفتاح الإجابات
- 1. I = 15,07 mA
- 2. IR = 39,33 mA
- 3. VCE = 10,13 V
- 4. VCE = 7,006 V
- 5. IC = 17,73 mA
- 6. RB = 59,13 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.