1.سهلة
مصدر تيار مستمر 12 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 2,2 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 12 VR = 2,2 kΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
يُغذّى صمام زينر 6,2 V من 20 V عبر مقاومة 100 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
Vin = 20 VVZ = 6,2 VR = 100 Ω
IR = mA
3.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 75 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 560 kΩ من المصدر VCC = 15 V. مقاومة المجمِّع RC = 2,7 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
VCC = 15 VRB = 560 kΩRC = 2,7 kΩβ = 75VBE = 0,7 V
IC = mA
4.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 12 V: R₁ = 68 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 22 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 1 kΩ ومقاومة الباعث RE = 1,2 kΩ. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
VCC = 12 VR1 = 68 kΩR2 = 22 kΩRC = 1 kΩRE = 1,2 kΩβ = 100
VCE = V
5.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
VCC = 24 VRC = 100 Ωβ = 100Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
VCC = 12 VRC = 100 Ωβ = 150Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
مفتاح الإجابات
- 1. I = 5,136 mA
- 2. IR = 138 mA
- 3. IC = 1,915 mA
- 4. VCE = 8,416 V
- 5. RB = 1,807 kΩ
- 6. RB = 3,305 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.