ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

مصدر تيار مستمر 24 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 470 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.

مصدر تيار مستمر 10 V موصول عبر المقاومة R₁ = 470 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 4,7 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي I_D بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقاومة قاعدة R_B = 100 kΩ من المصدر V_CC = 15 V. مقاومة المجمِّع R_C = 1 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ V_BE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 15 V: R₁ = 56 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 10 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 1 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 1 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث V_CE.

يجب أن يغذّي منظم زينر 9,1 V حملًا بتيار يصل إلى 40 mA. قد ينخفض الدخل إلى 24 V، ويحتاج زينر إلى 1 mA على الأقل ليظل منظِّمًا. أوجد أكبر مقاومة توالٍ R_max تبقيه منظِّمًا.

ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين V_CC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 2 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد R_B بالـ kΩ.