1.سهلة
مصدر تيار مستمر 9 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 9 VR = 1 kΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 5 V موصول عبر المقاومة R₁ = 1 kΩ بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 1 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
Vs = 5 VR1 = 1 kΩR2 = 1 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.متوسطة
يُغذّى منظم زينر 6,2 V من 20 V عبر 330 Ω ويغذّي حملًا 1000 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
Vin = 20 VVZ = 6,2 VR = 330 ΩRL = 1000 Ω
IZ = mA
4.متوسطة
2 زرقاء من LED (الجهد الأمامي 3,2 V لكل منها) موصولة على التوالي مع مقاومة بمصدر 9 V. أوجد المقاومة R التي تجعل التيار 10 mA.
Vs = 9 VVF = 3,2 Vn = 2I = 10 mA
R = Ω
5.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 80 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
VCC = 12 VRC = 100 Ωβ = 80Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 3 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
VCC = 5 VRC = 100 Ωβ = 100Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 Vمعامل الدفع الزائد = 3
RB = kΩ
مفتاح الإجابات
- 1. I = 8,3 mA
- 2. ID = 3,6 mA
- 3. IZ = 35,62 mA
- 4. R = 260 Ω
- 5. RB = 2,915 kΩ
- 6. RB = 1,806 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.