مصدر تيار مستمر 6 V موصول عبر المقاومة R₁ = 2,2 kΩ بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 3,3 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
مصدر تيار مستمر 10 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 220 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 200 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 12 V: R₁ = 68 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 12 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 2,7 kΩ ومقاومة الباعث RE = 680 Ω. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 390 kΩ من المصدر VCC = 15 V. مقاومة المجمِّع RC = 3,3 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
يُنمذج صمام ثنائي بـ 0,65 V على التوالي مع 50 Ω (يوصل فوق 0,65 V). وهو على التوالي مع مقاومة 150 Ω عبر مصدر 5 V. أوجد تيار التشغيل ID حيث يلتقي خط الصمام بخط الحمل.
ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 220 Ω موصولة بين VCC = 9 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 5 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.