1.سهلة
مصدر تيار مستمر 10 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 2,2 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 10 VR = 2,2 kΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 9 V موصول عبر المقاومة R₁ = 2,2 kΩ بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 470 Ω، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
Vs = 9 VR1 = 2,2 kΩR2 = 470 ΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 50 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 220 kΩ من المصدر VCC = 9 V. مقاومة المجمِّع RC = 1 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
VCC = 9 VRB = 220 kΩRC = 1 kΩβ = 50VBE = 0,7 V
VCE = V
4.متوسطة
يُغذّى منظم زينر 12 V من 18 V عبر 100 Ω ويغذّي حملًا 470 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
Vin = 18 VVZ = 12 VR = 100 ΩRL = 470 Ω
IZ = mA
5.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 150 Ω موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 2 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
VCC = 12 VRC = 150 Ωβ = 100Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 Vمعامل الدفع الزائد = 2
RB = kΩ
6.صعبة
لمنظم زينر 3,3 V مقاومة توالٍ 150 Ω. قد يرتفع الدخل إلى 14 V، وقد يكون الحمل مفصولًا. أوجد أكبر قدرة PZ,max يجب أن يبددها زينر.
Vin,max = 14 VVZ = 3,3 VR = 150 Ω
PZ,max = mW
مفتاح الإجابات
- 1. I = 4,227 mA
- 2. ID = 2,283 mA
- 3. VCE = 7,114 V
- 4. IZ = 34,47 mA
- 5. RB = 2,733 kΩ
- 6. PZ,max = 235,4 mW
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.