1.سهلة
مصدر تيار مستمر 24 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 3,3 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 24 VR = 3,3 kΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 6 V موصول عبر المقاومة R₁ = 1,5 kΩ بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 1 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
Vs = 6 VR1 = 1,5 kΩR2 = 1 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 50 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 560 kΩ من المصدر VCC = 9 V. مقاومة المجمِّع RC = 4,7 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
VCC = 9 VRB = 560 kΩRC = 4,7 kΩβ = 50VBE = 0,7 V
IC = mA
4.متوسطة
يُغذّى منظم زينر 9,1 V من 20 V عبر 100 Ω ويغذّي حملًا 1500 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
Vin = 20 VVZ = 9,1 VR = 100 ΩRL = 1500 Ω
IZ = mA
5.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
VCC = 5 VRC = 100 Ωβ = 50Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB = 220 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
VCC = 24 VRC = 470 Ωβ = 200Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VRB = 220 kΩ
IC = mA
مفتاح الإجابات
- 1. I = 7,061 mA
- 2. ID = 2,833 mA
- 3. IC = 0,7411 mA
- 4. IZ = 102,9 mA
- 5. RB = 4,479 kΩ
- 6. IC = 3,909 mA
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.