1.سهلة
مصدر تيار مستمر 6 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 220 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 6 VR = 220 ΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 10 V موصول عبر المقاومة R₁ = 470 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 10 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
Vs = 10 VR1 = 470 ΩR2 = 10 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 75 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 220 kΩ من المصدر VCC = 15 V. مقاومة المجمِّع RC = 1 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
VCC = 15 VRB = 220 kΩRC = 1 kΩβ = 75VBE = 0,7 V
VCE = V
4.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 50 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 680 kΩ من المصدر VCC = 10 V. مقاومة المجمِّع RC = 3,3 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
VCC = 10 VRB = 680 kΩRC = 3,3 kΩβ = 50VBE = 0,7 V
VCE = V
5.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 4 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
VCC = 12 VRC = 470 Ωβ = 50Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 Vمعامل الدفع الزائد = 4
RB = kΩ
6.صعبة
يُنمذج صمام ثنائي بـ 0,6 V على التوالي مع 5 Ω (يوصل فوق 0,6 V). وهو على التوالي مع مقاومة 330 Ω عبر مصدر 5 V. أوجد تيار التشغيل ID حيث يلتقي خط الصمام بخط الحمل.
Vs = 5 VR = 330 ΩV0 = 0,6 Vrd = 5 Ω
ID = mA
مفتاح الإجابات
- 1. I = 20,91 mA
- 2. ID = 19,72 mA
- 3. VCE = 10,13 V
- 4. VCE = 7,743 V
- 5. RB = 1,294 kΩ
- 6. ID = 13,13 mA
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.