ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

يُغذّى صمام زينر 9,1 V من 20 V عبر مقاومة 470 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار I_R في المقاومة.

مصدر تيار مستمر 15 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 220 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 150 منحاز بمقاومة قاعدة R_B = 560 kΩ من المصدر V_CC = 15 V. مقاومة المجمِّع R_C = 470 Ω والباعث موصول بالأرضي. خذ V_BE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث V_CE.

ترانزستور NPN بـ β = 200 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 15 V: R₁ = 56 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 6,8 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 1,5 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 1,5 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 680 Ω موصولة بين V_CC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة R_B = 47 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.

ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 1 kΩ موصولة بين V_CC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة R_B، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.