1.سهلة
مصدر تيار مستمر 5 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 220 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 5 VR = 220 ΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
يُغذّى صمام زينر 3,3 V من 9 V عبر مقاومة 150 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
Vin = 9 VVZ = 3,3 VR = 150 Ω
IR = mA
3.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 680 kΩ من المصدر VCC = 12 V. مقاومة المجمِّع RC = 2,7 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
VCC = 12 VRB = 680 kΩRC = 2,7 kΩβ = 100VBE = 0,7 V
IC = mA
4.متوسطة
يُغذّى منظم زينر 5,1 V من 12 V عبر 100 Ω ويغذّي حملًا 1000 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
Vin = 12 VVZ = 5,1 VR = 100 ΩRL = 1000 Ω
IZ = mA
5.صعبة
يُنمذج صمام ثنائي بـ 0,6 V على التوالي مع 10 Ω (يوصل فوق 0,6 V). وهو على التوالي مع مقاومة 330 Ω عبر مصدر 6 V. أوجد تيار التشغيل ID حيث يلتقي خط الصمام بخط الحمل.
Vs = 6 VR = 330 ΩV0 = 0,6 Vrd = 10 Ω
ID = mA
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 1 kΩ موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
VCC = 12 VRC = 1 kΩβ = 100Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
مفتاح الإجابات
- 1. I = 16,36 mA
- 2. IR = 38 mA
- 3. IC = 1,662 mA
- 4. IZ = 63,9 mA
- 5. ID = 15,88 mA
- 6. RB = 22,03 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.