1.سهلة
مصدر تيار مستمر 6 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1,5 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 6 VR = 1,5 kΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 15 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 680 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 15 VR = 680 ΩVD = 0,7 V
I = mA
3.متوسطة
يُغذّى منظم زينر 3,3 V من 9 V عبر 150 Ω ويغذّي حملًا 3300 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
Vin = 9 VVZ = 3,3 VR = 150 ΩRL = 3300 Ω
IZ = mA
4.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 75 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 220 kΩ من المصدر VCC = 15 V. مقاومة المجمِّع RC = 470 Ω والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
VCC = 15 VRB = 220 kΩRC = 470 Ωβ = 75VBE = 0,7 V
IC = mA
5.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB = 4,7 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
VCC = 5 VRC = 100 Ωβ = 200Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VRB = 4,7 kΩ
IC = mA
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 330 Ω موصولة بين VCC = 9 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB = 47 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
VCC = 9 VRC = 330 Ωβ = 50Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VRB = 47 kΩ
IC = mA
مفتاح الإجابات
- 1. I = 3,067 mA
- 2. I = 20 mA
- 3. IZ = 37 mA
- 4. IC = 4,875 mA
- 5. IC = 48 mA
- 6. IC = 2,766 mA
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.