1.سهلة
مصدر تيار مستمر 10 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 680 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 10 VR = 680 ΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 6 V موصول عبر المقاومة R₁ = 680 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 10 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
Vs = 6 VR1 = 680 ΩR2 = 10 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 120 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 18 V: R₁ = 82 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 8,2 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 4,7 kΩ ومقاومة الباعث RE = 1,2 kΩ. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
VCC = 18 VR1 = 82 kΩR2 = 8,2 kΩRC = 4,7 kΩRE = 1,2 kΩβ = 120
IC = mA
4.متوسطة
3 الأبيض من LED (الجهد الأمامي 3 V لكل منها) موصولة على التوالي مع مقاومة بمصدر 12 V. أوجد المقاومة R التي تجعل التيار 5 mA.
Vs = 12 VVF = 3 Vn = 3I = 5 mA
R = Ω
5.صعبة
لمنظم زينر 3,3 V مقاومة توالٍ 680 Ω. قد يرتفع الدخل إلى 26 V، وقد يكون الحمل مفصولًا. أوجد أكبر قدرة PZ,max يجب أن يبددها زينر.
Vin,max = 26 VVZ = 3,3 VR = 680 Ω
PZ,max = mW
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 330 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 4 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
VCC = 5 VRC = 330 Ωβ = 200Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 Vمعامل الدفع الزائد = 4
RB = kΩ
مفتاح الإجابات
- 1. I = 12,65 mA
- 2. ID = 7,724 mA
- 3. IC = 0,7361 mA
- 4. R = 600 Ω
- 5. PZ,max = 110,2 mW
- 6. RB = 14,78 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.