1.سهلة
مصدر تيار مستمر 5 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 2,2 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 5 VR = 2,2 kΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
يُغذّى صمام زينر 9,1 V من 15 V عبر مقاومة 100 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
Vin = 15 VVZ = 9,1 VR = 100 Ω
IR = mA
3.متوسطة
يُغذّى منظم زينر 3,3 V من 20 V عبر 680 Ω ويغذّي حملًا 2200 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
Vin = 20 VVZ = 3,3 VR = 680 ΩRL = 2200 Ω
IZ = mA
4.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 200 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 820 kΩ من المصدر VCC = 9 V. مقاومة المجمِّع RC = 2,2 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
VCC = 9 VRB = 820 kΩRC = 2,2 kΩβ = 200VBE = 0,7 V
VCE = V
5.صعبة
لمنظم زينر 5,6 V مقاومة توالٍ 330 Ω. قد يرتفع الدخل إلى 18 V، وقد يكون الحمل مفصولًا. أوجد أكبر قدرة PZ,max يجب أن يبددها زينر.
Vin,max = 18 VVZ = 5,6 VR = 330 Ω
PZ,max = mW
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين VCC = 9 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
VCC = 9 VRC = 470 Ωβ = 150Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
مفتاح الإجابات
- 1. I = 1,955 mA
- 2. IR = 59 mA
- 3. IZ = 23,06 mA
- 4. VCE = 4,546 V
- 5. PZ,max = 210,4 mW
- 6. RB = 34,45 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.