مصدر تيار مستمر 9 V موصول عبر المقاومة R₁ = 470 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 3,3 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
يعمل LED أصفر بجهد أمامي 2,1 V من مصدر 9 V عبر مقاومة توالية. أوجد المقاومة R التي تجعل تيار LED مساويًا 25 mA.
ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 270 kΩ من المصدر VCC = 10 V. مقاومة المجمِّع RC = 1 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 560 kΩ من المصدر VCC = 10 V. مقاومة المجمِّع RC = 1,5 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 330 Ω موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
يجب أن يغذّي منظم زينر 12 V حملًا بتيار يصل إلى 10 mA. قد ينخفض الدخل إلى 24 V، ويحتاج زينر إلى 1 mA على الأقل ليظل منظِّمًا. أوجد أكبر مقاومة توالٍ Rmax تبقيه منظِّمًا.
مفتاح الإجابات
- 1. ID = 17,45 mA
- 2. R = 276 Ω
- 3. IC = 2,756 mA
- 4. VCE = 7,509 V
- 5. RB = 5,408 kΩ
- 6. Rmax = 1091 Ω
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.