مصدر تيار مستمر 24 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 3,3 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
مصدر تيار مستمر 6 V موصول عبر المقاومة R₁ = 2,2 kΩ بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 4,7 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
4 خضراء من LED (الجهد الأمامي 2,2 V لكل منها) موصولة على التوالي مع مقاومة بمصدر 12 V. أوجد المقاومة R التي تجعل التيار 25 mA.
4 حمراء من LED (الجهد الأمامي 2 V لكل منها) موصولة على التوالي مع مقاومة بمصدر 24 V. أوجد المقاومة R التي تجعل التيار 5 mA.
ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 1 kΩ موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB = 2,2 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 220 Ω موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
مفتاح الإجابات
- 1. I = 7,061 mA
- 2. ID = 2,26 mA
- 3. R = 128 Ω
- 4. R = 3200 Ω
- 5. IC = 23,8 mA
- 6. RB = 1,202 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.