ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

يُغذّى صمام زينر 9,1 V من 18 V عبر مقاومة 330 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار I_R في المقاومة.

مصدر تيار مستمر 24 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 120 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 15 V: R₁ = 68 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 15 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 2,7 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 2,2 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث V_CE.

ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 15 V: R₁ = 82 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 12 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 5,6 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 1,2 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA.

لمنظم زينر 6,2 V مقاومة توالٍ 100 Ω. قد يرتفع الدخل إلى 22 V، وقد يكون الحمل مفصولًا. أوجد أكبر قدرة P_Z,max يجب أن يبددها زينر.

ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 1 kΩ موصولة بين V_CC = 9 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة R_B، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.