ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

مصدر تيار مستمر 9 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 220 Ω على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.

مصدر تيار مستمر 5 V موصول عبر المقاومة R₁ = 2,2 kΩ بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 3,3 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي I_D بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 15 V: R₁ = 33 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 10 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 5,6 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 2,2 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث V_CE.

ترانزستور NPN بـ β = 150 منحاز بمقاومة قاعدة R_B = 1000 kΩ من المصدر V_CC = 15 V. مقاومة المجمِّع R_C = 470 Ω والباعث موصول بالأرضي. خذ V_BE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث V_CE.

ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 220 Ω موصولة بين V_CC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة R_B، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.

ترانزستور NPN بـ β = 80 يتحكّم بمقاومة حمل 680 Ω موصولة بين V_CC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة R_B = 100 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.