مصدر تيار مستمر 10 V موصول عبر المقاومة R₁ = 1,5 kΩ بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 470 Ω، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
يُغذّى صمام زينر 5,6 V من 9 V عبر مقاومة 100 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
يُغذّى منظم زينر 3,3 V من 24 V عبر 470 Ω ويغذّي حملًا 470 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
ترانزستور NPN بـ β = 75 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 560 kΩ من المصدر VCC = 12 V. مقاومة المجمِّع RC = 2,7 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
يجب أن يغذّي منظم زينر 6,2 V حملًا بتيار يصل إلى 30 mA. قد ينخفض الدخل إلى 24 V، ويحتاج زينر إلى 5 mA على الأقل ليظل منظِّمًا. أوجد أكبر مقاومة توالٍ Rmax تبقيه منظِّمًا.
ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 5 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.