ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

يُغذّى صمام زينر 3,3 V من 15 V عبر مقاومة 470 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار I_R في المقاومة.

مصدر تيار مستمر 12 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 330 Ω على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 18 V: R₁ = 22 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 8,2 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 1,5 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 1 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقاومة قاعدة R_B = 470 kΩ من المصدر V_CC = 9 V. مقاومة المجمِّع R_C = 1,2 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ V_BE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث V_CE.

ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 1 kΩ موصولة بين V_CC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة R_B = 220 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.

ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 680 Ω موصولة بين V_CC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 2 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد R_B بالـ kΩ.