1.سهلة
مصدر تيار مستمر 15 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 4,7 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 15 VR = 4,7 kΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 10 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 680 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 10 VR = 680 ΩVD = 0,7 V
I = mA
3.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 75 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 470 kΩ من المصدر VCC = 15 V. مقاومة المجمِّع RC = 2,2 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
VCC = 15 VRB = 470 kΩRC = 2,2 kΩβ = 75VBE = 0,7 V
IC = mA
4.متوسطة
يُغذّى منظم زينر 5,1 V من 24 V عبر 100 Ω ويغذّي حملًا 1000 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
Vin = 24 VVZ = 5,1 VR = 100 ΩRL = 1000 Ω
IZ = mA
5.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 220 Ω موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 2 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
VCC = 24 VRC = 220 Ωβ = 150Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 Vمعامل الدفع الزائد = 2
RB = kΩ
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 680 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB = 10 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
VCC = 5 VRC = 680 Ωβ = 100Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VRB = 10 kΩ
IC = mA
مفتاح الإجابات
- 1. I = 2,894 mA
- 2. I = 12,65 mA
- 3. IC = 2,282 mA
- 4. IZ = 183,9 mA
- 5. RB = 1,803 kΩ
- 6. IC = 7,059 mA
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.