مصدر تيار مستمر 10 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
مصدر تيار مستمر 6 V موصول عبر المقاومة R₁ = 1 kΩ بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 4,7 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 560 kΩ من المصدر VCC = 15 V. مقاومة المجمِّع RC = 1 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 12 V: R₁ = 47 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 10 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 2,2 kΩ ومقاومة الباعث RE = 680 Ω. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
يجب أن يغذّي منظم زينر 5,6 V حملًا بتيار يصل إلى 40 mA. قد ينخفض الدخل إلى 24 V، ويحتاج زينر إلى 1 mA على الأقل ليظل منظِّمًا. أوجد أكبر مقاومة توالٍ Rmax تبقيه منظِّمًا.
يُنمذج صمام ثنائي بـ 0,7 V على التوالي مع 50 Ω (يوصل فوق 0,7 V). وهو على التوالي مع مقاومة 150 Ω عبر مصدر 5 V. أوجد تيار التشغيل ID حيث يلتقي خط الصمام بخط الحمل.
مفتاح الإجابات
- 1. I = 8,6 mA
- 2. ID = 5,151 mA
- 3. IC = 2,043 mA
- 4. VCE = 6,872 V
- 5. Rmax = 448,8 Ω
- 6. ID = 21,5 mA
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.