مصدر تيار مستمر 24 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
يُغذّى صمام زينر 6,2 V من 15 V عبر مقاومة 100 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
ترانزستور NPN بـ β = 120 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 20 V: R₁ = 100 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 10 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 5,6 kΩ ومقاومة الباعث RE = 680 Ω. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
يُغذّى منظم زينر 9,1 V من 24 V عبر 330 Ω ويغذّي حملًا 3300 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 680 Ω موصولة بين VCC = 9 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 680 Ω موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
مفتاح الإجابات
- 1. I = 23,3 mA
- 2. IR = 88 mA
- 3. IC = 1,469 mA
- 4. IZ = 42,39 mA
- 5. RB = 66,45 kΩ
- 6. RB = 12,39 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.