مصدر تيار مستمر 9 V موصول عبر المقاومة R₁ = 330 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 680 Ω، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
يُغذّى صمام زينر 6,2 V من 15 V عبر مقاومة 100 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
يُغذّى منظم زينر 12 V من 20 V عبر 470 Ω ويغذّي حملًا 1500 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 12 V: R₁ = 82 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 15 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 2,7 kΩ ومقاومة الباعث RE = 1,2 kΩ. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
لمنظم زينر 5,1 V مقاومة توالٍ 220 Ω. قد يرتفع الدخل إلى 18 V، وقد يكون الحمل مفصولًا. أوجد أكبر قدرة PZ,max يجب أن يبددها زينر.
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 150 Ω موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB = 100 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.