مصدر تيار مستمر 6 V موصول عبر المقاومة R₁ = 1 kΩ بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 1,5 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
مصدر تيار مستمر 5 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1,5 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
2 أصفر من LED (الجهد الأمامي 2,1 V لكل منها) موصولة على التوالي مع مقاومة بمصدر 9 V. أوجد المقاومة R التي تجعل التيار 5 mA.
ترانزستور NPN بـ β = 120 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 20 V: R₁ = 33 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 6,8 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 2,7 kΩ ومقاومة الباعث RE = 1,2 kΩ. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 330 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 10 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
يجب أن يغذّي منظم زينر 5,1 V حملًا بتيار يصل إلى 10 mA. قد ينخفض الدخل إلى 18 V، ويحتاج زينر إلى 2 mA على الأقل ليظل منظِّمًا. أوجد أكبر مقاومة توالٍ Rmax تبقيه منظِّمًا.
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.