ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

يُغذّى صمام زينر 3,3 V من 9 V عبر مقاومة 330 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار I_R في المقاومة.

مصدر تيار مستمر 24 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 220 Ω على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 150 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 20 V: R₁ = 47 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 10 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 2,2 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 680 Ω. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA.

يُغذّى منظم زينر 9,1 V من 15 V عبر 100 Ω ويغذّي حملًا 1000 Ω. أوجد تيار زينر I_Z.

ترانزستور NPN بـ β = 80 يتحكّم بمقاومة حمل 1 kΩ موصولة بين V_CC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة R_B = 4,7 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.

ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين V_CC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 3 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد R_B بالـ kΩ.