مصدر تيار مستمر 3 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 2,2 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
مصدر تيار مستمر 5 V موصول عبر المقاومة R₁ = 1,5 kΩ بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 1 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 150 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 470 kΩ من المصدر VCC = 10 V. مقاومة المجمِّع RC = 2,7 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
يُغذّى منظم زينر 6,2 V من 20 V عبر 220 Ω ويغذّي حملًا 3300 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 330 Ω موصولة بين VCC = 9 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB = 33 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
يجب أن يغذّي منظم زينر 6,2 V حملًا بتيار يصل إلى 20 mA. قد ينخفض الدخل إلى 24 V، ويحتاج زينر إلى 5 mA على الأقل ليظل منظِّمًا. أوجد أكبر مقاومة توالٍ Rmax تبقيه منظِّمًا.
مفتاح الإجابات
- 1. I = 1,045 mA
- 2. ID = 2,167 mA
- 3. IC = 2,968 mA
- 4. IZ = 60,85 mA
- 5. IC = 7,879 mA
- 6. Rmax = 712 Ω
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.