مصدر تيار مستمر 6 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 3,3 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
يُغذّى صمام زينر 6,2 V من 12 V عبر مقاومة 270 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 270 kΩ من المصدر VCC = 15 V. مقاومة المجمِّع RC = 1,2 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 20 V: R₁ = 82 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 10 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 1 kΩ ومقاومة الباعث RE = 470 Ω. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
يُنمذج صمام ثنائي بـ 0,7 V على التوالي مع 10 Ω (يوصل فوق 0,7 V). وهو على التوالي مع مقاومة 220 Ω عبر مصدر 9 V. أوجد تيار التشغيل ID حيث يلتقي خط الصمام بخط الحمل.
ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB = 1 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
مفتاح الإجابات
- 1. I = 1,394 mA
- 2. IR = 21,48 mA
- 3. VCE = 8,644 V
- 4. VCE = 16,14 V
- 5. ID = 36,09 mA
- 6. IC = 25,11 mA
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.