ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

يُغذّى صمام زينر 5,1 V من 20 V عبر مقاومة 220 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار I_R في المقاومة.

مصدر تيار مستمر 10 V موصول عبر المقاومة R₁ = 330 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 10 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي I_D بالـ mA.

يُغذّى منظم زينر 3,3 V من 12 V عبر 270 Ω ويغذّي حملًا 3300 Ω. أوجد تيار زينر I_Z.

ترانزستور NPN بـ β = 200 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 20 V: R₁ = 33 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 22 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 1 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 1,5 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 220 Ω موصولة بين V_CC = 9 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة R_B = 100 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.

ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين V_CC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 2 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد R_B بالـ kΩ.