يُغذّى صمام زينر 5,6 V من 12 V عبر مقاومة 100 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
مصدر تيار مستمر 15 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 2,2 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
يُغذّى منظم زينر 3,3 V من 18 V عبر 470 Ω ويغذّي حملًا 470 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
ترانزستور NPN بـ β = 200 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 15 V: R₁ = 39 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 4,7 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 1,5 kΩ ومقاومة الباعث RE = 680 Ω. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 1 kΩ موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB = 2,2 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 220 Ω موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
مفتاح الإجابات
- 1. IR = 64 mA
- 2. I = 6,5 mA
- 3. IZ = 24,26 mA
- 4. VCE = 12,17 V
- 5. IC = 23,8 mA
- 6. RB = 4,008 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.