مصدر تيار مستمر 24 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 2,2 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
مصدر تيار مستمر 12 V موصول عبر المقاومة R₁ = 330 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 470 Ω، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
2 حمراء من LED (الجهد الأمامي 2 V لكل منها) موصولة على التوالي مع مقاومة بمصدر 12 V. أوجد المقاومة R التي تجعل التيار 10 mA.
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 12 V: R₁ = 33 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 15 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 2,2 kΩ ومقاومة الباعث RE = 1 kΩ. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
يُنمذج صمام ثنائي بـ 0,65 V على التوالي مع 50 Ω (يوصل فوق 0,65 V). وهو على التوالي مع مقاومة 100 Ω عبر مصدر 3 V. أوجد تيار التشغيل ID حيث يلتقي خط الصمام بخط الحمل.
مفتاح الإجابات
- 1. I = 10,59 mA
- 2. ID = 32,75 mA
- 3. R = 800 Ω
- 4. IC = 2,74 mA
- 5. RB = 2,71 kΩ
- 6. ID = 15,67 mA
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.