1.سهلة
مصدر تيار مستمر 5 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 4,7 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 5 VR = 4,7 kΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 9 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 4,7 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 9 VR = 4,7 kΩVD = 0,7 V
I = mA
3.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 75 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 220 kΩ من المصدر VCC = 12 V. مقاومة المجمِّع RC = 1,5 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
VCC = 12 VRB = 220 kΩRC = 1,5 kΩβ = 75VBE = 0,7 V
IC = mA
4.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 390 kΩ من المصدر VCC = 10 V. مقاومة المجمِّع RC = 2,2 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
VCC = 10 VRB = 390 kΩRC = 2,2 kΩβ = 100VBE = 0,7 V
IC = mA
5.صعبة
لمنظم زينر 5,6 V مقاومة توالٍ 270 Ω. قد يرتفع الدخل إلى 26 V، وقد يكون الحمل مفصولًا. أوجد أكبر قدرة PZ,max يجب أن يبددها زينر.
Vin,max = 26 VVZ = 5,6 VR = 270 Ω
PZ,max = mW
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 680 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
VCC = 5 VRC = 680 Ωβ = 50Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
مفتاح الإجابات
- 1. I = 0,766 mA
- 2. I = 1,766 mA
- 3. IC = 3,852 mA
- 4. IC = 2,385 mA
- 5. PZ,max = 423,1 mW
- 6. RB = 18,42 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.