مصدر تيار مستمر 10 V موصول عبر المقاومة R₁ = 330 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 1,5 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
مصدر تيار مستمر 9 V موصول عبر المقاومة R₁ = 470 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 1 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 75 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 330 kΩ من المصدر VCC = 10 V. مقاومة المجمِّع RC = 2,2 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
ترانزستور NPN بـ β = 50 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 470 kΩ من المصدر VCC = 12 V. مقاومة المجمِّع RC = 1,5 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
يجب أن يغذّي منظم زينر 5,1 V حملًا بتيار يصل إلى 50 mA. قد ينخفض الدخل إلى 24 V، ويحتاج زينر إلى 1 mA على الأقل ليظل منظِّمًا. أوجد أكبر مقاومة توالٍ Rmax تبقيه منظِّمًا.
ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 150 Ω موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 10 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
مفتاح الإجابات
- 1. ID = 27,72 mA
- 2. ID = 16,96 mA
- 3. VCE = 5,35 V
- 4. IC = 1,202 mA
- 5. Rmax = 370,6 Ω
- 6. RB = 0,4065 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.