ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

مصدر تيار مستمر 12 V موصول عبر المقاومة R₁ = 680 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 10 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي I_D بالـ mA.

يُغذّى صمام زينر 3,3 V من 24 V عبر مقاومة 150 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار I_R في المقاومة.

ترانزستور NPN بـ β = 150 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 20 V: R₁ = 33 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 4,7 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 2,2 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 2,2 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث V_CE.

ترانزستور NPN بـ β = 200 منحاز بمقاومة قاعدة R_B = 330 kΩ من المصدر V_CC = 15 V. مقاومة المجمِّع R_C = 1 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ V_BE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث V_CE.

يُنمذج صمام ثنائي بـ 0,7 V على التوالي مع 5 Ω (يوصل فوق 0,7 V). وهو على التوالي مع مقاومة 470 Ω عبر مصدر 9 V. أوجد تيار التشغيل I_D حيث يلتقي خط الصمام بخط الحمل.

ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين V_CC = 9 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة R_B، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.