يُغذّى صمام زينر 5,1 V من 9 V عبر مقاومة 680 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
مصدر تيار مستمر 24 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 120 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 1000 kΩ من المصدر VCC = 15 V. مقاومة المجمِّع RC = 1,2 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
يُغذّى منظم زينر 5,6 V من 15 V عبر 470 Ω ويغذّي حملًا 1500 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 150 Ω موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 1 kΩ موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 2 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
مفتاح الإجابات
- 1. IR = 5,735 mA
- 2. I = 23,3 mA
- 3. VCE = 12,94 V
- 4. IZ = 16,27 mA
- 5. RB = 6,61 kΩ
- 6. RB = 27,33 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.