1.سهلة
مصدر تيار مستمر 9 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 470 Ω على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 9 VR = 470 ΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 10 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 470 Ω على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 10 VR = 470 ΩVD = 0,7 V
I = mA
3.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 270 kΩ من المصدر VCC = 9 V. مقاومة المجمِّع RC = 1,2 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
VCC = 9 VRB = 270 kΩRC = 1,2 kΩβ = 100VBE = 0,7 V
IC = mA
4.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 120 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 390 kΩ من المصدر VCC = 15 V. مقاومة المجمِّع RC = 1,2 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
VCC = 15 VRB = 390 kΩRC = 1,2 kΩβ = 120VBE = 0,7 V
VCE = V
5.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 80 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
VCC = 24 VRC = 100 Ωβ = 80Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 150 Ω موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
VCC = 12 VRC = 150 Ωβ = 50Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
مفتاح الإجابات
- 1. I = 17,66 mA
- 2. I = 19,79 mA
- 3. IC = 3,074 mA
- 4. VCE = 9,72 V
- 5. RB = 1,445 kΩ
- 6. RB = 2,733 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.