Arbeitsblatt Dioden und Transistoren mit Lösungen

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1.Leicht
+−Vs​9 VR = 470 ΩD​I = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 9 V treibt einen Strom durch einen Widerstand von 470 Ω in Reihe mit einer in Durchlassrichtung gepolten Siliziumdiode. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V pro leitender Diode. Bestimme den Strom I in mA.

Vs = 9 VR = 470 ΩVD = 0,7 V
I = mA
2.Leicht
+−24 V330 Ω9,1 VIR​ = ?

Eine 9,1-V-Z-Diode wird aus 24 V über einen Widerstand von 330 Ω gespeist, ohne angeschlossene Last. Bestimme den Strom IR im Widerstand.

Vin = 24 VVZ = 9,1 VR = 330 Ω
IR = mA
3.Mittel
RC​ = 1 kΩβ = 150IC​ = ?RE​ = 2,2 kΩVCC​ = 18 VR1​ = 68 kΩR2​ = 10 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 150 wird mit einem Spannungsteiler an VCC = 18 V eingestellt: R₁ = 68 kΩ von VCC zur Basis und R₂ = 10 kΩ von der Basis nach Masse. Der Kollektorwiderstand ist RC = 1 kΩ und der Emitterwiderstand RE = 2,2 kΩ. Nimm VBE = 0,7 V an und verwende das Thévenin-Ersatzschaltbild des Teilers (vernachlässige den Basisstrom nicht). Bestimme den Kollektorstrom IC in mA.

VCC = 18 VR1 = 68 kΩR2 = 10 kΩRC = 1 kΩRE = 2,2 kΩβ = 150
IC = mA
4.Mittel
RC​ = 1 kΩβ = 100RE​ = 470 ΩVCC​ = 18 VR1​ = 33 kΩR2​ = 10 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 100 wird mit einem Spannungsteiler an VCC = 18 V eingestellt: R₁ = 33 kΩ von VCC zur Basis und R₂ = 10 kΩ von der Basis nach Masse. Der Kollektorwiderstand ist RC = 1 kΩ und der Emitterwiderstand RE = 470 Ω. Nimm VBE = 0,7 V an und verwende das Thévenin-Ersatzschaltbild des Teilers (vernachlässige den Basisstrom nicht). Bestimme die Kollektor-Emitter-Spannung VCE.

VCC = 18 VR1 = 33 kΩR2 = 10 kΩRC = 1 kΩRE = 470 Ωβ = 100
VCE = V
5.Schwer
RC​ = 470 Ωβ = 100VCC​ = 12 V3,3 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 100 schaltet einen Lastwiderstand von 470 Ω, der zwischen VCC = 12 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 3,3 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Bestimme den größten Basiswiderstand RB in kΩ, der den Transistor gerade noch in die Sättigung steuert.

VCC = 12 VRC = 470 Ωβ = 100Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
6.Schwer
RC​ = 150 Ωβ = 150VCC​ = 5 V3,3 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 150 schaltet einen Lastwiderstand von 150 Ω, der zwischen VCC = 5 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 3,3 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Lege für sicheres Schalten einen Basisstrom aus, der 3-mal so groß ist wie das für die Sättigung nötige Minimum. Bestimme RB in kΩ.

VCC = 5 VRC = 150 Ωβ = 150Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VÜbersteuerungsfaktor = 3
RB = kΩ

Lösungsschlüssel

  1. 1. I = 17,66 mA
  2. 2. IR = 45,15 mA
  3. 3. IC = 0,7074 mA
  4. 4. VCE = 8,677 V
  5. 5. RB = 10,36 kΩ
  6. 6. RB = 4,062 kΩ

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