Arbeitsblatt Dioden und Transistoren mit Lösungen

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1.Leicht
+−Vs​9 VR = 2,2 kΩD1​D2​I = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 9 V treibt einen Strom durch einen Widerstand von 2,2 kΩ in Reihe mit zwei in Durchlassrichtung gepolten Siliziumdioden. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V pro leitender Diode. Bestimme den Strom I in mA.

Vs = 9 VR = 2,2 kΩVD = 0,7 V
I = mA
2.Leicht
+−12 VR = ?2,1 V25 mA

Eine LED (gelb) mit einer Durchlassspannung von 2,1 V wird über einen Vorwiderstand aus einer Versorgung von 12 V betrieben. Bestimme den Widerstand R, der den LED-Strom auf 25 mA einstellt.

Vs = 12 VVF = 2,1 VI = 25 mA
R = Ω
3.Mittel
+−20 V470 Ω3,3 V2200 ΩIZ​ = ?

Ein 3,3-V-Z-Dioden-Regler wird aus 20 V über 470 Ω gespeist und versorgt eine Last von 2200 Ω. Bestimme den Zenerstrom IZ.

Vin = 20 VVZ = 3,3 VR = 470 ΩRL = 2200 Ω
IZ = mA
4.Mittel
RC​ = 2,7 kΩβ = 100VCC​ = 9 VRB​ = 390 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 100 wird über einen Basiswiderstand RB = 390 kΩ aus der Versorgung VCC = 9 V eingestellt. Der Kollektorwiderstand ist RC = 2,7 kΩ, und der Emitter liegt auf Masse. Nimm VBE = 0,7 V an und gehe davon aus, dass der Transistor im aktiven Bereich arbeitet. Bestimme die Kollektor-Emitter-Spannung VCE.

VCC = 9 VRB = 390 kΩRC = 2,7 kΩβ = 100VBE = 0,7 V
VCE = V
5.Schwer
RC​ = 100 Ωβ = 100VCC​ = 5 V5 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 100 schaltet einen Lastwiderstand von 100 Ω, der zwischen VCC = 5 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 5 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Bestimme den größten Basiswiderstand RB in kΩ, der den Transistor gerade noch in die Sättigung steuert.

VCC = 5 VRC = 100 Ωβ = 100Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
6.Schwer
RC​ = 330 Ωβ = 150VCC​ = 24 V5 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 150 schaltet einen Lastwiderstand von 330 Ω, der zwischen VCC = 24 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 5 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Bestimme den größten Basiswiderstand RB in kΩ, der den Transistor gerade noch in die Sättigung steuert.

VCC = 24 VRC = 330 Ωβ = 150Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ

Lösungsschlüssel

  1. 1. I = 3,455 mA
  2. 2. R = 396 Ω
  3. 3. IZ = 34,03 mA
  4. 4. VCE = 3,254 V
  5. 5. RB = 8,958 kΩ
  6. 6. RB = 8,943 kΩ

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