Arbeitsblatt Dioden und Transistoren mit Lösungen

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1.Leicht
+−Vs​6 VR = 4,7 kΩD1​D2​I = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 6 V treibt einen Strom durch einen Widerstand von 4,7 kΩ in Reihe mit zwei in Durchlassrichtung gepolten Siliziumdioden. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V pro leitender Diode. Bestimme den Strom I in mA.

Vs = 6 VR = 4,7 kΩVD = 0,7 V
I = mA
2.Leicht
+−Vs​6 VR1​ = 1 kΩR2​ = 680 ΩID​ = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 6 V ist über den Widerstand R₁ = 1 kΩ mit einem Knoten X verbunden. Vom Knoten X zum Minuspol der Quelle gibt es zwei parallele Pfade: den Widerstand R₂ = 680 Ω und eine Siliziumdiode mit der Anode an X. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V. Bestimme den Diodenstrom ID in mA.

Vs = 6 VR1 = 1 kΩR2 = 680 ΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.Mittel
+−24 V330 Ω5,1 V1500 ΩIZ​ = ?

Ein 5,1-V-Z-Dioden-Regler wird aus 24 V über 330 Ω gespeist und versorgt eine Last von 1500 Ω. Bestimme den Zenerstrom IZ.

Vin = 24 VVZ = 5,1 VR = 330 ΩRL = 1500 Ω
IZ = mA
4.Mittel
+−18 V680 Ω3,3 V470 ΩIZ​ = ?

Ein 3,3-V-Z-Dioden-Regler wird aus 18 V über 680 Ω gespeist und versorgt eine Last von 470 Ω. Bestimme den Zenerstrom IZ.

Vin = 18 VVZ = 3,3 VR = 680 ΩRL = 470 Ω
IZ = mA
5.Schwer
RC​ = 220 Ωβ = 200VCC​ = 24 V5 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 200 schaltet einen Lastwiderstand von 220 Ω, der zwischen VCC = 24 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 5 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Bestimme den größten Basiswiderstand RB in kΩ, der den Transistor gerade noch in die Sättigung steuert.

VCC = 24 VRC = 220 Ωβ = 200Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
6.Schwer
+−≤ 12 V330 Ω5,1 V

Ein 5,1-V-Z-Dioden-Regler hat einen Vorwiderstand von 330 Ω. Die Eingangsspannung kann auf 12 V steigen, und die Last kann abgetrennt werden. Bestimme die größte Leistung PZ,max, die die Z-Diode in Wärme umsetzen muss.

Vin,max = 12 VVZ = 5,1 VR = 330 Ω
PZ,max = mW

Lösungsschlüssel

  1. 1. I = 0,9787 mA
  2. 2. ID = 4,271 mA
  3. 3. IZ = 53,87 mA
  4. 4. IZ = 14,6 mA
  5. 5. RB = 7,95 kΩ
  6. 6. PZ,max = 106,6 mW

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