Arbeitsblatt Dioden und Transistoren mit Lösungen

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1.Leicht
+−Vs​12 VR1​ = 680 ΩR2​ = 1 kΩID​ = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 12 V ist über den Widerstand R₁ = 680 Ω mit einem Knoten X verbunden. Vom Knoten X zum Minuspol der Quelle gibt es zwei parallele Pfade: den Widerstand R₂ = 1 kΩ und eine Siliziumdiode mit der Anode an X. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V. Bestimme den Diodenstrom ID in mA.

Vs = 12 VR1 = 680 ΩR2 = 1 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
2.Leicht
+−Vs​10 VR = 3,3 kΩD1​D2​I = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 10 V treibt einen Strom durch einen Widerstand von 3,3 kΩ in Reihe mit zwei in Durchlassrichtung gepolten Siliziumdioden. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V pro leitender Diode. Bestimme den Strom I in mA.

Vs = 10 VR = 3,3 kΩVD = 0,7 V
I = mA
3.Mittel
RC​ = 1,5 kΩβ = 200IC​ = ?RE​ = 2,2 kΩVCC​ = 15 VR1​ = 22 kΩR2​ = 6,8 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 200 wird mit einem Spannungsteiler an VCC = 15 V eingestellt: R₁ = 22 kΩ von VCC zur Basis und R₂ = 6,8 kΩ von der Basis nach Masse. Der Kollektorwiderstand ist RC = 1,5 kΩ und der Emitterwiderstand RE = 2,2 kΩ. Nimm VBE = 0,7 V an und verwende das Thévenin-Ersatzschaltbild des Teilers (vernachlässige den Basisstrom nicht). Bestimme den Kollektorstrom IC in mA.

VCC = 15 VR1 = 22 kΩR2 = 6,8 kΩRC = 1,5 kΩRE = 2,2 kΩβ = 200
IC = mA
4.Mittel
RC​ = 1 kΩβ = 150VCC​ = 10 VRB​ = 820 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 150 wird über einen Basiswiderstand RB = 820 kΩ aus der Versorgung VCC = 10 V eingestellt. Der Kollektorwiderstand ist RC = 1 kΩ, und der Emitter liegt auf Masse. Nimm VBE = 0,7 V an und gehe davon aus, dass der Transistor im aktiven Bereich arbeitet. Bestimme die Kollektor-Emitter-Spannung VCE.

VCC = 10 VRB = 820 kΩRC = 1 kΩβ = 150VBE = 0,7 V
VCE = V
5.Schwer
RC​ = 680 Ωβ = 100VCC​ = 24 V5 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 100 schaltet einen Lastwiderstand von 680 Ω, der zwischen VCC = 24 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 5 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Lege für sicheres Schalten einen Basisstrom aus, der 5-mal so groß ist wie das für die Sättigung nötige Minimum. Bestimme RB in kΩ.

VCC = 24 VRC = 680 Ωβ = 100Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VÜbersteuerungsfaktor = 5
RB = kΩ
6.Schwer
V (V)I (mA)0,6533,33Q = ?

Eine Diode wird modelliert als 0,6 V in Reihe mit 10 Ω (sie leitet oberhalb von 0,6 V). Sie liegt in Reihe mit einem Widerstand von 150 Ω an einer Versorgung von 5 V. Bestimme den Arbeitsstrom ID, bei dem die Diodenkennlinie die Widerstandsgerade schneidet.

Vs = 5 VR = 150 ΩV0 = 0,6 Vrd = 10 Ω
ID = mA

Lösungsschlüssel

  1. 1. ID = 15,92 mA
  2. 2. I = 2,606 mA
  3. 3. IC = 1,27 mA
  4. 4. VCE = 8,299 V
  5. 5. RB = 2,457 kΩ
  6. 6. ID = 27,5 mA

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