Eine Gleichspannungsquelle mit 24 V treibt einen Strom durch einen Widerstand von 3,3 kΩ in Reihe mit einer in Durchlassrichtung gepolten Siliziumdiode. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V pro leitender Diode. Bestimme den Strom I in mA.
Arbeitsblatt Dioden und Transistoren mit Lösungen
Eine 3,3-V-Z-Diode wird aus 9 V über einen Widerstand von 100 Ω gespeist, ohne angeschlossene Last. Bestimme den Strom IR im Widerstand.
Ein 3,3-V-Z-Dioden-Regler wird aus 20 V über 470 Ω gespeist und versorgt eine Last von 2200 Ω. Bestimme den Zenerstrom IZ.
Ein NPN-Transistor mit β = 150 wird mit einem Spannungsteiler an VCC = 18 V eingestellt: R₁ = 82 kΩ von VCC zur Basis und R₂ = 12 kΩ von der Basis nach Masse. Der Kollektorwiderstand ist RC = 3,3 kΩ und der Emitterwiderstand RE = 2,2 kΩ. Nimm VBE = 0,7 V an und verwende das Thévenin-Ersatzschaltbild des Teilers (vernachlässige den Basisstrom nicht). Bestimme die Kollektor-Emitter-Spannung VCE.
Ein 5,1-V-Z-Dioden-Regler hat einen Vorwiderstand von 100 Ω. Die Eingangsspannung kann auf 28 V steigen, und die Last kann abgetrennt werden. Bestimme die größte Leistung PZ,max, die die Z-Diode in Wärme umsetzen muss.
Ein NPN-Transistor mit β = 80 schaltet einen Lastwiderstand von 680 Ω, der zwischen VCC = 9 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 5 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Bestimme den größten Basiswiderstand RB in kΩ, der den Transistor gerade noch in die Sättigung steuert.
Lösungsschlüssel
- 1. I = 7,061 mA
- 2. IR = 57 mA
- 3. IZ = 34,03 mA
- 4. VCE = 14,14 V
- 5. PZ,max = 1168 mW
- 6. RB = 26,58 kΩ
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