Arbeitsblatt Dioden und Transistoren mit Lösungen

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1.Leicht
+−15 V100 Ω3,3 VIR​ = ?

Eine 3,3-V-Z-Diode wird aus 15 V über einen Widerstand von 100 Ω gespeist, ohne angeschlossene Last. Bestimme den Strom IR im Widerstand.

Vin = 15 VVZ = 3,3 VR = 100 Ω
IR = mA
2.Leicht
+−Vs​9 VR1​ = 470 ΩR2​ = 4,7 kΩID​ = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 9 V ist über den Widerstand R₁ = 470 Ω mit einem Knoten X verbunden. Vom Knoten X zum Minuspol der Quelle gibt es zwei parallele Pfade: den Widerstand R₂ = 4,7 kΩ und eine Siliziumdiode mit der Anode an X. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V. Bestimme den Diodenstrom ID in mA.

Vs = 9 VR1 = 470 ΩR2 = 4,7 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.Mittel
RC​ = 4,7 kΩβ = 100IC​ = ?RE​ = 2,2 kΩVCC​ = 15 VR1​ = 22 kΩR2​ = 6,8 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 100 wird mit einem Spannungsteiler an VCC = 15 V eingestellt: R₁ = 22 kΩ von VCC zur Basis und R₂ = 6,8 kΩ von der Basis nach Masse. Der Kollektorwiderstand ist RC = 4,7 kΩ und der Emitterwiderstand RE = 2,2 kΩ. Nimm VBE = 0,7 V an und verwende das Thévenin-Ersatzschaltbild des Teilers (vernachlässige den Basisstrom nicht). Bestimme den Kollektorstrom IC in mA.

VCC = 15 VR1 = 22 kΩR2 = 6,8 kΩRC = 4,7 kΩRE = 2,2 kΩβ = 100
IC = mA
4.Mittel
RC​ = 1 kΩβ = 150RE​ = 1,5 kΩVCC​ = 18 VR1​ = 22 kΩR2​ = 12 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 150 wird mit einem Spannungsteiler an VCC = 18 V eingestellt: R₁ = 22 kΩ von VCC zur Basis und R₂ = 12 kΩ von der Basis nach Masse. Der Kollektorwiderstand ist RC = 1 kΩ und der Emitterwiderstand RE = 1,5 kΩ. Nimm VBE = 0,7 V an und verwende das Thévenin-Ersatzschaltbild des Teilers (vernachlässige den Basisstrom nicht). Bestimme die Kollektor-Emitter-Spannung VCE.

VCC = 18 VR1 = 22 kΩR2 = 12 kΩRC = 1 kΩRE = 1,5 kΩβ = 150
VCE = V
5.Schwer
+−≥ 18 VR = ?12 V≤ 30 mA

Ein 12-V-Z-Dioden-Regler muss einer Last bis zu 30 mA liefern. Die Eingangsspannung kann auf 18 V fallen, und die Z-Diode braucht mindestens 1 mA, um zu regeln. Bestimme den größten Vorwiderstand Rmax, bei dem sie noch regelt.

Vin,min = 18 VVZ = 12 VIL,max = 30 mAIZ,min = 1 mA
Rmax = Ω
6.Schwer
RC​ = 150 Ωβ = 80VCC​ = 5 V5 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 80 schaltet einen Lastwiderstand von 150 Ω, der zwischen VCC = 5 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 5 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Lege für sicheres Schalten einen Basisstrom aus, der 10-mal so groß ist wie das für die Sättigung nötige Minimum. Bestimme RB in kΩ.

VCC = 5 VRC = 150 Ωβ = 80Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VÜbersteuerungsfaktor = 10
RB = kΩ

Lösungsschlüssel

  1. 1. IR = 117 mA
  2. 2. ID = 17,51 mA
  3. 3. IC = 1,25 mA
  4. 4. VCE = 8,915 V
  5. 5. Rmax = 193,5 Ω
  6. 6. RB = 1,075 kΩ

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