Arbeitsblatt Dioden und Transistoren mit Lösungen

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1.Leicht
+−24 V100 Ω12 VIR​ = ?

Eine 12-V-Z-Diode wird aus 24 V über einen Widerstand von 100 Ω gespeist, ohne angeschlossene Last. Bestimme den Strom IR im Widerstand.

Vin = 24 VVZ = 12 VR = 100 Ω
IR = mA
2.Leicht
+−Vs​10 VR1​ = 470 ΩR2​ = 680 ΩID​ = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 10 V ist über den Widerstand R₁ = 470 Ω mit einem Knoten X verbunden. Vom Knoten X zum Minuspol der Quelle gibt es zwei parallele Pfade: den Widerstand R₂ = 680 Ω und eine Siliziumdiode mit der Anode an X. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V. Bestimme den Diodenstrom ID in mA.

Vs = 10 VR1 = 470 ΩR2 = 680 ΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.Mittel
RC​ = 2,7 kΩβ = 150RE​ = 680 ΩVCC​ = 15 VR1​ = 39 kΩR2​ = 4,7 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 150 wird mit einem Spannungsteiler an VCC = 15 V eingestellt: R₁ = 39 kΩ von VCC zur Basis und R₂ = 4,7 kΩ von der Basis nach Masse. Der Kollektorwiderstand ist RC = 2,7 kΩ und der Emitterwiderstand RE = 680 Ω. Nimm VBE = 0,7 V an und verwende das Thévenin-Ersatzschaltbild des Teilers (vernachlässige den Basisstrom nicht). Bestimme die Kollektor-Emitter-Spannung VCE.

VCC = 15 VR1 = 39 kΩR2 = 4,7 kΩRC = 2,7 kΩRE = 680 Ωβ = 150
VCE = V
4.Mittel
RC​ = 470 Ωβ = 150VCC​ = 15 VRB​ = 560 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 150 wird über einen Basiswiderstand RB = 560 kΩ aus der Versorgung VCC = 15 V eingestellt. Der Kollektorwiderstand ist RC = 470 Ω, und der Emitter liegt auf Masse. Nimm VBE = 0,7 V an und gehe davon aus, dass der Transistor im aktiven Bereich arbeitet. Bestimme die Kollektor-Emitter-Spannung VCE.

VCC = 15 VRB = 560 kΩRC = 470 Ωβ = 150VBE = 0,7 V
VCE = V
5.Schwer
RC​ = 470 Ωβ = 80VCC​ = 9 V5 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 80 schaltet einen Lastwiderstand von 470 Ω, der zwischen VCC = 9 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 5 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Lege für sicheres Schalten einen Basisstrom aus, der 5-mal so groß ist wie das für die Sättigung nötige Minimum. Bestimme RB in kΩ.

VCC = 9 VRC = 470 Ωβ = 80Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VÜbersteuerungsfaktor = 5
RB = kΩ
6.Schwer
RC​ = 330 Ωβ = 50IC​ = ?VCC​ = 12 V5 VRB​ = 1 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 50 schaltet einen Lastwiderstand von 330 Ω, der zwischen VCC = 12 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 5 V über einen Basiswiderstand RB = 1 kΩ angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Bestimme den Kollektorstrom IC in mA, wenn der Eingang auf High liegt. Entscheide zuerst, ob der Transistor gesättigt ist.

VCC = 12 VRC = 330 Ωβ = 50Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VRB = 1 kΩ
IC = mA

Lösungsschlüssel

  1. 1. IR = 120 mA
  2. 2. ID = 18,76 mA
  3. 3. VCE = 10,66 V
  4. 4. VCE = 13,2 V
  5. 5. RB = 3,675 kΩ
  6. 6. IC = 35,76 mA

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