Arbeitsblatt Dioden und Transistoren mit Lösungen

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1.Leicht
+−12 VR = ?3,2 V25 mA

Eine LED (blau) mit einer Durchlassspannung von 3,2 V wird über einen Vorwiderstand aus einer Versorgung von 12 V betrieben. Bestimme den Widerstand R, der den LED-Strom auf 25 mA einstellt.

Vs = 12 VVF = 3,2 VI = 25 mA
R = Ω
2.Leicht
+−Vs​5 VR1​ = 2,2 kΩR2​ = 4,7 kΩID​ = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 5 V ist über den Widerstand R₁ = 2,2 kΩ mit einem Knoten X verbunden. Vom Knoten X zum Minuspol der Quelle gibt es zwei parallele Pfade: den Widerstand R₂ = 4,7 kΩ und eine Siliziumdiode mit der Anode an X. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V. Bestimme den Diodenstrom ID in mA.

Vs = 5 VR1 = 2,2 kΩR2 = 4,7 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.Mittel
RC​ = 2,2 kΩβ = 75VCC​ = 15 VRB​ = 470 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 75 wird über einen Basiswiderstand RB = 470 kΩ aus der Versorgung VCC = 15 V eingestellt. Der Kollektorwiderstand ist RC = 2,2 kΩ, und der Emitter liegt auf Masse. Nimm VBE = 0,7 V an und gehe davon aus, dass der Transistor im aktiven Bereich arbeitet. Bestimme die Kollektor-Emitter-Spannung VCE.

VCC = 15 VRB = 470 kΩRC = 2,2 kΩβ = 75VBE = 0,7 V
VCE = V
4.Mittel
+−18 V100 Ω5,6 V3300 ΩIZ​ = ?

Ein 5,6-V-Z-Dioden-Regler wird aus 18 V über 100 Ω gespeist und versorgt eine Last von 3300 Ω. Bestimme den Zenerstrom IZ.

Vin = 18 VVZ = 5,6 VR = 100 ΩRL = 3300 Ω
IZ = mA
5.Schwer
+−≤ 13 V470 Ω3,3 V

Ein 3,3-V-Z-Dioden-Regler hat einen Vorwiderstand von 470 Ω. Die Eingangsspannung kann auf 13 V steigen, und die Last kann abgetrennt werden. Bestimme die größte Leistung PZ,max, die die Z-Diode in Wärme umsetzen muss.

Vin,max = 13 VVZ = 3,3 VR = 470 Ω
PZ,max = mW
6.Schwer
RC​ = 150 Ωβ = 100VCC​ = 12 V3,3 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 100 schaltet einen Lastwiderstand von 150 Ω, der zwischen VCC = 12 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 3,3 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Bestimme den größten Basiswiderstand RB in kΩ, der den Transistor gerade noch in die Sättigung steuert.

VCC = 12 VRC = 150 Ωβ = 100Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ

Lösungsschlüssel

  1. 1. R = 352 Ω
  2. 2. ID = 1,806 mA
  3. 3. VCE = 9,98 V
  4. 4. IZ = 122,3 mA
  5. 5. PZ,max = 68,11 mW
  6. 6. RB = 3,305 kΩ

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