Arbeitsblatt Dioden und Transistoren mit Lösungen

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1.Leicht
+−Vs​9 VR1​ = 1,5 kΩR2​ = 1,5 kΩID​ = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 9 V ist über den Widerstand R₁ = 1,5 kΩ mit einem Knoten X verbunden. Vom Knoten X zum Minuspol der Quelle gibt es zwei parallele Pfade: den Widerstand R₂ = 1,5 kΩ und eine Siliziumdiode mit der Anode an X. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V. Bestimme den Diodenstrom ID in mA.

Vs = 9 VR1 = 1,5 kΩR2 = 1,5 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
2.Leicht
+−Vs​10 VR1​ = 330 ΩR2​ = 3,3 kΩID​ = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 10 V ist über den Widerstand R₁ = 330 Ω mit einem Knoten X verbunden. Vom Knoten X zum Minuspol der Quelle gibt es zwei parallele Pfade: den Widerstand R₂ = 3,3 kΩ und eine Siliziumdiode mit der Anode an X. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V. Bestimme den Diodenstrom ID in mA.

Vs = 10 VR1 = 330 ΩR2 = 3,3 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.Mittel
RC​ = 1 kΩβ = 50VCC​ = 9 VRB​ = 220 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 50 wird über einen Basiswiderstand RB = 220 kΩ aus der Versorgung VCC = 9 V eingestellt. Der Kollektorwiderstand ist RC = 1 kΩ, und der Emitter liegt auf Masse. Nimm VBE = 0,7 V an und gehe davon aus, dass der Transistor im aktiven Bereich arbeitet. Bestimme die Kollektor-Emitter-Spannung VCE.

VCC = 9 VRB = 220 kΩRC = 1 kΩβ = 50VBE = 0,7 V
VCE = V
4.Mittel
+−24 VR = ?3 × 2,2 V20 mA

3 LEDs (grün; Durchlassspannung je 2,2 V) liegen in Reihe mit einem Widerstand an einer Versorgung von 24 V. Bestimme den Widerstand R, der den Strom auf 20 mA einstellt.

Vs = 24 VVF = 2,2 Vn = 3I = 20 mA
R = Ω
5.Schwer
RC​ = 100 Ωβ = 150VCC​ = 24 V5 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 150 schaltet einen Lastwiderstand von 100 Ω, der zwischen VCC = 24 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 5 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Lege für sicheres Schalten einen Basisstrom aus, der 3-mal so groß ist wie das für die Sättigung nötige Minimum. Bestimme RB in kΩ.

VCC = 24 VRC = 100 Ωβ = 150Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VÜbersteuerungsfaktor = 3
RB = kΩ
6.Schwer
RC​ = 1 kΩβ = 50VCC​ = 9 V3,3 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 50 schaltet einen Lastwiderstand von 1 kΩ, der zwischen VCC = 9 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 3,3 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Lege für sicheres Schalten einen Basisstrom aus, der 4-mal so groß ist wie das für die Sättigung nötige Minimum. Bestimme RB in kΩ.

VCC = 9 VRC = 1 kΩβ = 50Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VÜbersteuerungsfaktor = 4
RB = kΩ

Lösungsschlüssel

  1. 1. ID = 5,067 mA
  2. 2. ID = 27,97 mA
  3. 3. VCE = 7,114 V
  4. 4. R = 870 Ω
  5. 5. RB = 0,9034 kΩ
  6. 6. RB = 3,693 kΩ

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