Arbeitsblatt Dioden und Transistoren mit Lösungen

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1.Leicht
+−Vs​9 VR1​ = 680 ΩR2​ = 680 ΩID​ = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 9 V ist über den Widerstand R₁ = 680 Ω mit einem Knoten X verbunden. Vom Knoten X zum Minuspol der Quelle gibt es zwei parallele Pfade: den Widerstand R₂ = 680 Ω und eine Siliziumdiode mit der Anode an X. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V. Bestimme den Diodenstrom ID in mA.

Vs = 9 VR1 = 680 ΩR2 = 680 ΩVD = 0,7 V
ID = mA
2.Leicht
+−12 VR = ?3 V10 mA

Eine LED (weiß) mit einer Durchlassspannung von 3 V wird über einen Vorwiderstand aus einer Versorgung von 12 V betrieben. Bestimme den Widerstand R, der den LED-Strom auf 10 mA einstellt.

Vs = 12 VVF = 3 VI = 10 mA
R = Ω
3.Mittel
RC​ = 5,6 kΩβ = 100IC​ = ?RE​ = 2,2 kΩVCC​ = 12 VR1​ = 68 kΩR2​ = 22 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 100 wird mit einem Spannungsteiler an VCC = 12 V eingestellt: R₁ = 68 kΩ von VCC zur Basis und R₂ = 22 kΩ von der Basis nach Masse. Der Kollektorwiderstand ist RC = 5,6 kΩ und der Emitterwiderstand RE = 2,2 kΩ. Nimm VBE = 0,7 V an und verwende das Thévenin-Ersatzschaltbild des Teilers (vernachlässige den Basisstrom nicht). Bestimme den Kollektorstrom IC in mA.

VCC = 12 VR1 = 68 kΩR2 = 22 kΩRC = 5,6 kΩRE = 2,2 kΩβ = 100
IC = mA
4.Mittel
RC​ = 2,7 kΩβ = 120IC​ = ?RE​ = 1,2 kΩVCC​ = 15 VR1​ = 56 kΩR2​ = 10 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 120 wird mit einem Spannungsteiler an VCC = 15 V eingestellt: R₁ = 56 kΩ von VCC zur Basis und R₂ = 10 kΩ von der Basis nach Masse. Der Kollektorwiderstand ist RC = 2,7 kΩ und der Emitterwiderstand RE = 1,2 kΩ. Nimm VBE = 0,7 V an und verwende das Thévenin-Ersatzschaltbild des Teilers (vernachlässige den Basisstrom nicht). Bestimme den Kollektorstrom IC in mA.

VCC = 15 VR1 = 56 kΩR2 = 10 kΩRC = 2,7 kΩRE = 1,2 kΩβ = 120
IC = mA
5.Schwer
RC​ = 680 Ωβ = 100VCC​ = 9 V5 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 100 schaltet einen Lastwiderstand von 680 Ω, der zwischen VCC = 9 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 5 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Lege für sicheres Schalten einen Basisstrom aus, der 5-mal so groß ist wie das für die Sättigung nötige Minimum. Bestimme RB in kΩ.

VCC = 9 VRC = 680 Ωβ = 100Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VÜbersteuerungsfaktor = 5
RB = kΩ
6.Schwer
RC​ = 330 Ωβ = 50IC​ = ?VCC​ = 12 V5 VRB​ = 2,2 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 50 schaltet einen Lastwiderstand von 330 Ω, der zwischen VCC = 12 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 5 V über einen Basiswiderstand RB = 2,2 kΩ angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Bestimme den Kollektorstrom IC in mA, wenn der Eingang auf High liegt. Entscheide zuerst, ob der Transistor gesättigt ist.

VCC = 12 VRC = 330 Ωβ = 50Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VRB = 2,2 kΩ
IC = mA

Lösungsschlüssel

  1. 1. ID = 11,18 mA
  2. 2. R = 900 Ω
  3. 3. IC = 0,9351 mA
  4. 4. IC = 1,228 mA
  5. 5. RB = 6,645 kΩ
  6. 6. IC = 35,76 mA

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