Arbeitsblatt Dioden und Transistoren mit Lösungen

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1.Leicht
+−Vs​5 VR = 1,5 kΩD1​D2​I = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 5 V treibt einen Strom durch einen Widerstand von 1,5 kΩ in Reihe mit zwei in Durchlassrichtung gepolten Siliziumdioden. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V pro leitender Diode. Bestimme den Strom I in mA.

Vs = 5 VR = 1,5 kΩVD = 0,7 V
I = mA
2.Leicht
+−Vs​12 VR1​ = 2,2 kΩR2​ = 10 kΩID​ = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 12 V ist über den Widerstand R₁ = 2,2 kΩ mit einem Knoten X verbunden. Vom Knoten X zum Minuspol der Quelle gibt es zwei parallele Pfade: den Widerstand R₂ = 10 kΩ und eine Siliziumdiode mit der Anode an X. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V. Bestimme den Diodenstrom ID in mA.

Vs = 12 VR1 = 2,2 kΩR2 = 10 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.Mittel
RC​ = 5,6 kΩβ = 80RE​ = 2,2 kΩVCC​ = 18 VR1​ = 33 kΩR2​ = 4,7 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 80 wird mit einem Spannungsteiler an VCC = 18 V eingestellt: R₁ = 33 kΩ von VCC zur Basis und R₂ = 4,7 kΩ von der Basis nach Masse. Der Kollektorwiderstand ist RC = 5,6 kΩ und der Emitterwiderstand RE = 2,2 kΩ. Nimm VBE = 0,7 V an und verwende das Thévenin-Ersatzschaltbild des Teilers (vernachlässige den Basisstrom nicht). Bestimme die Kollektor-Emitter-Spannung VCE.

VCC = 18 VR1 = 33 kΩR2 = 4,7 kΩRC = 5,6 kΩRE = 2,2 kΩβ = 80
VCE = V
4.Mittel
RC​ = 5,6 kΩβ = 150RE​ = 2,2 kΩVCC​ = 18 VR1​ = 68 kΩR2​ = 6,8 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 150 wird mit einem Spannungsteiler an VCC = 18 V eingestellt: R₁ = 68 kΩ von VCC zur Basis und R₂ = 6,8 kΩ von der Basis nach Masse. Der Kollektorwiderstand ist RC = 5,6 kΩ und der Emitterwiderstand RE = 2,2 kΩ. Nimm VBE = 0,7 V an und verwende das Thévenin-Ersatzschaltbild des Teilers (vernachlässige den Basisstrom nicht). Bestimme die Kollektor-Emitter-Spannung VCE.

VCC = 18 VR1 = 68 kΩR2 = 6,8 kΩRC = 5,6 kΩRE = 2,2 kΩβ = 150
VCE = V
5.Schwer
+−≤ 22 V270 Ω12 V

Ein 12-V-Z-Dioden-Regler hat einen Vorwiderstand von 270 Ω. Die Eingangsspannung kann auf 22 V steigen, und die Last kann abgetrennt werden. Bestimme die größte Leistung PZ,max, die die Z-Diode in Wärme umsetzen muss.

Vin,max = 22 VVZ = 12 VR = 270 Ω
PZ,max = mW
6.Schwer
RC​ = 100 Ωβ = 200VCC​ = 5 V5 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 200 schaltet einen Lastwiderstand von 100 Ω, der zwischen VCC = 5 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 5 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Bestimme den größten Basiswiderstand RB in kΩ, der den Transistor gerade noch in die Sättigung steuert.

VCC = 5 VRC = 100 Ωβ = 200Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ

Lösungsschlüssel

  1. 1. I = 2,4 mA
  2. 2. ID = 5,066 mA
  3. 3. VCE = 12,7 V
  4. 4. VCE = 14,76 V
  5. 5. PZ,max = 444,4 mW
  6. 6. RB = 17,92 kΩ

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