Hoja de ejercicios de Diodos y transistores con soluciones

Una fuente de continua de 5 V hace circular corriente por una resistencia de 680 Ω en serie con dos diodos de silicio polarizados en directa. Usa el modelo de caída constante con 0,7 V por cada diodo en conducción. Halla la corriente I en mA.

Una fuente de continua de 6 V hace circular corriente por una resistencia de 3,3 kΩ en serie con dos diodos de silicio polarizados en directa. Usa el modelo de caída constante con 0,7 V por cada diodo en conducción. Halla la corriente I en mA.

Un transistor NPN con β = 150 se polariza con una resistencia de base R_B = 100 kΩ desde la alimentación V_CC = 15 V. La resistencia de colector es R_C = 470 Ω y el emisor está a tierra. Toma V_BE = 0,7 V y supón que el transistor está en la región activa. Halla la tensión colector–emisor V_CE.

Un transistor NPN con β = 80 tiene polarización por divisor de tensión desde V_CC = 18 V: R₁ = 47 kΩ de V_CC a la base y R₂ = 10 kΩ de la base a tierra. La resistencia de colector es R_C = 1 kΩ y la resistencia de emisor es R_E = 470 Ω. Toma V_BE = 0,7 V y usa el equivalente de Thévenin del divisor (no desprecies la corriente de base). Halla la tensión colector–emisor V_CE.

Un transistor NPN con β = 50 conmuta una resistencia de carga de 1 kΩ conectada entre V_CC = 24 V y su colector. El emisor está a tierra. La base se excita desde una salida lógica de 3,3 V a través de una resistencia de base R_B = 1 kΩ. Toma V_BE = 0,7 V y V_CE(sat) = 0,2 V. Halla la corriente de colector I_C en mA cuando la entrada está a nivel alto. Decide primero si el transistor está saturado.

Un transistor NPN con β = 200 conmuta una resistencia de carga de 150 Ω conectada entre V_CC = 9 V y su colector. El emisor está a tierra. La base se excita desde una salida lógica de 5 V a través de una resistencia de base R_B = 2,2 kΩ. Toma V_BE = 0,7 V y V_CE(sat) = 0,2 V. Halla la corriente de colector I_C en mA cuando la entrada está a nivel alto. Decide primero si el transistor está saturado.