Hoja de ejercicios de Diodos y transistores con soluciones

Una fuente de continua de 15 V hace circular corriente por una resistencia de 1,5 kΩ en serie con dos diodos de silicio polarizados en directa. Usa el modelo de caída constante con 0,7 V por cada diodo en conducción. Halla la corriente I en mA.

Una fuente de continua de 12 V hace circular corriente por una resistencia de 1 kΩ en serie con dos diodos de silicio polarizados en directa. Usa el modelo de caída constante con 0,7 V por cada diodo en conducción. Halla la corriente I en mA.

Un transistor NPN con β = 100 tiene polarización por divisor de tensión desde V_CC = 15 V: R₁ = 33 kΩ de V_CC a la base y R₂ = 4,7 kΩ de la base a tierra. La resistencia de colector es R_C = 1,5 kΩ y la resistencia de emisor es R_E = 2,2 kΩ. Toma V_BE = 0,7 V y usa el equivalente de Thévenin del divisor (no desprecies la corriente de base). Halla la tensión colector–emisor V_CE.

Un transistor NPN con β = 75 se polariza con una resistencia de base R_B = 820 kΩ desde la alimentación V_CC = 15 V. La resistencia de colector es R_C = 4,7 kΩ y el emisor está a tierra. Toma V_BE = 0,7 V y supón que el transistor está en la región activa. Halla la tensión colector–emisor V_CE.

Un transistor NPN con β = 200 conmuta una resistencia de carga de 1 kΩ conectada entre V_CC = 24 V y su colector. El emisor está a tierra. La base se excita desde una salida lógica de 5 V a través de una resistencia de base R_B. Toma V_BE = 0,7 V y V_CE(sat) = 0,2 V. Para una conmutación fiable, diseña para una corriente de base 3 veces la mínima necesaria para la saturación. Halla R_B en kΩ.

Un transistor NPN con β = 100 conmuta una resistencia de carga de 1 kΩ conectada entre V_CC = 24 V y su colector. El emisor está a tierra. La base se excita desde una salida lógica de 3,3 V a través de una resistencia de base R_B. Toma V_BE = 0,7 V y V_CE(sat) = 0,2 V. Para una conmutación fiable, diseña para una corriente de base 2 veces la mínima necesaria para la saturación. Halla R_B en kΩ.