Hoja de ejercicios de Diodos y transistores con soluciones

Una fuente de continua de 5 V hace circular corriente por una resistencia de 3,3 kΩ en serie con un diodo de silicio polarizado en directa. Usa el modelo de caída constante con 0,7 V por cada diodo en conducción. Halla la corriente I en mA.

Una fuente de continua de 12 V hace circular corriente por una resistencia de 2,2 kΩ en serie con un diodo de silicio polarizado en directa. Usa el modelo de caída constante con 0,7 V por cada diodo en conducción. Halla la corriente I en mA.

Un transistor NPN con β = 100 tiene polarización por divisor de tensión desde V_CC = 20 V: R₁ = 56 kΩ de V_CC a la base y R₂ = 6,8 kΩ de la base a tierra. La resistencia de colector es R_C = 4,7 kΩ y la resistencia de emisor es R_E = 1 kΩ. Toma V_BE = 0,7 V y usa el equivalente de Thévenin del divisor (no desprecies la corriente de base). Halla la corriente de colector I_C en mA.

Un transistor NPN con β = 75 se polariza con una resistencia de base R_B = 220 kΩ desde la alimentación V_CC = 12 V. La resistencia de colector es R_C = 470 Ω y el emisor está a tierra. Toma V_BE = 0,7 V y supón que el transistor está en la región activa. Halla la corriente de colector I_C en mA.

Un diodo se modela como 0,7 V en serie con 5 Ω (conduce por encima de 0,7 V). Está en serie con una resistencia de 150 Ω en una fuente de 6 V. Halla la corriente de funcionamiento I_D donde la recta del diodo corta a la recta de carga.

Un transistor NPN con β = 50 conmuta una resistencia de carga de 100 Ω conectada entre V_CC = 12 V y su colector. El emisor está a tierra. La base se excita desde una salida lógica de 3,3 V a través de una resistencia de base R_B. Toma V_BE = 0,7 V y V_CE(sat) = 0,2 V. Para una conmutación fiable, diseña para una corriente de base 10 veces la mínima necesaria para la saturación. Halla R_B en kΩ.