Una fuente de continua de 10 V hace circular corriente por una resistencia de 680 Ω en serie con dos diodos de silicio polarizados en directa. Usa el modelo de caída constante con 0,7 V por cada diodo en conducción. Halla la corriente I en mA.
Hoja de ejercicios de Diodos y transistores con soluciones
Una fuente de continua de 5 V está conectada a través de la resistencia R₁ = 470 Ω a un nudo X. Del nudo X al terminal negativo de la fuente hay dos caminos en paralelo: la resistencia R₂ = 1 kΩ y un diodo de silicio con el ánodo en X. Usa el modelo de caída constante con 0,7 V. Halla la corriente del diodo ID en mA.
Un transistor NPN con β = 150 se polariza con una resistencia de base RB = 820 kΩ desde la alimentación VCC = 12 V. La resistencia de colector es RC = 2,7 kΩ y el emisor está a tierra. Toma VBE = 0,7 V y supón que el transistor está en la región activa. Halla la tensión colector–emisor VCE.
Un transistor NPN con β = 100 se polariza con una resistencia de base RB = 560 kΩ desde la alimentación VCC = 15 V. La resistencia de colector es RC = 1,2 kΩ y el emisor está a tierra. Toma VBE = 0,7 V y supón que el transistor está en la región activa. Halla la tensión colector–emisor VCE.
Un regulador Zener de 12 V tiene una resistencia en serie de 150 Ω. La entrada puede subir hasta 26 V, y la carga puede desconectarse. Halla la mayor potencia PZ,max que debe disipar el Zener.
Un transistor NPN con β = 200 conmuta una resistencia de carga de 100 Ω conectada entre VCC = 12 V y su colector. El emisor está a tierra. La base se excita desde una salida lógica de 3,3 V a través de una resistencia de base RB. Toma VBE = 0,7 V y VCE(sat) = 0,2 V. Halla la mayor resistencia de base RB, en kΩ, que todavía lleva el transistor justo a saturación.
Soluciones
- 1. I = 12,65 mA
- 2. ID = 8,449 mA
- 3. VCE = 6,419 V
- 4. VCE = 11,94 V
- 5. PZ,max = 1120 mW
- 6. RB = 4,407 kΩ
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